制备CdTe多晶薄膜的多种工艺和技术已经开发出来，如近空间升华、电沉积、PVD、CVD、CBD、丝网印刷、溅射、真空蒸发等。丝网印刷烧结法：由含CdTe、CdS浆料进行丝网印刷CdTe、CdS 膜，然后在600～700℃可控气氛下进行热处理1h 得大晶粒薄膜. 近空间升华法：采用玻璃作衬底，碲化镉，衬底温度500～600℃，沉积速率10μm/min. 真空蒸发法：将CdTe 从约700℃加热钳埚中升华，冷凝在300～400℃衬底上，碲化镉5N100目，典型沉积速率1nm/s. 以CdTe 吸收层，CdS 作窗口层半导体异质结电池的典型结构：减反射膜/玻璃/（SnO2:F）/CdS/P-CdTe/背电极。电池的实验室效率不断攀升，最近突16%。20世纪90年代初，99.999%碲化镉100目，CdTe电池已实现了规模化生产，但市场发展缓慢，4N碲化镉100目，市场份额一直徘徊在1%左右。商业化电池效率平均为8%-10%。
3.碲化镉多晶粉的价格走势
当今，在CdTe基电池生产工艺中，用于喷射的碲化镉多晶粉的市场刚超过4500万美元。自从2008年发生经济危机以来，电池生产预计呈增长态势，但CdTe的消费在2010年和未来几年预计会从预测的年增长49%下降到年增长26%。随着全球从经济危机中摆脱出来，估计在2010-2012年，局势会逐渐好转，增速会恢复到经济危机前的水平。
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