制备方法
由于容器与药剂中杂质的污染，使得到的金属纯度受到一定的限制，铟丸采购，只有用化学方法将金属提纯到一定纯度之后，铟丸，再用物理方法如区熔提纯，才能将金属纯度提到一个新的高度。可以用半导体材料锗及超纯金属铝为例说明典型的超纯金属制备及检测的原理（见区域熔炼）。
提纯金属时，杂质的分配系数对提纯金属有重大的关系，由于锗中大部分杂质的分配系数都小于1，铟丸供应商，所以锗的区熔提纯是十分有效的。半导体材料的纯度，也可用电阻率来表征。区域提纯后的金属锗，其锭底表面上的电阻率为30～50欧姆·厘米时，纯度相当于8～9，可以满足电子器件的要求。
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早期的研究发现。纳米晶Fe的饱和磁化强度试比普通块材a-Fe约低40%。Wagner等用小角中子散射(SANS)实验证实纳米晶Fe由铁磁性的晶粒和非铁磁性(或弱铁磁性)的界面区域构成，界面区域体积约占一半。纳米晶Fe的磁交互作用不仅限于单个晶粒，而且可以扩展越过界面，使数百个晶粒磁化排列。
