方法分析
半导体中的电离杂质浓度可以通过霍尔系数测定，对于非本征半导体材料，在补偿度不大的情况下，只要知道迁移率的数据，就可通过电阻率的测量，二氧化碲，决定杂质的浓度，二氧化碲批发，
高纯金属铝中杂质，已低于化学分析和仪器分析灵敏度的限量，须用物理方法测定，可用剩余电阻率(ρ4.2K/ρ300K)来测定铝的纯度，因为在4.2K下，点阵中原子振动所引起的电阻率可以忽略，这样测出的电阻率就是杂质引起的电阻率，各种纯度铝中的杂质含量及剩余电阻率
这种晶体顺序的缺乏是由于纳米管仅在一个维度（轴向）上体现周期性，二氧化碲采购，而在其它维度上可以以能量法则产生任何次序。例如，在一些个例中，纳米金属材料的金属纳米线可以显示五重对称性，这种对称性无法在自然界中观测到，却可以在少量原子促成的簇中发现。这种五重对称性相当于原子簇的二十重对称性：二十面体
是一簇原子的低能量态，但是由于二十面体不能在各个方向上无限重复并充满整个空间，这种次序没有在晶体中观测到。
