检测方法
高纯金属的检测方法极为困难。痕量元素的化学分析系指一克样品中含有微克级（10克/克）、毫微克级(10克/克)、微微克级（10克/克）杂质的确定。常用的手段有中子和带电粒子活化分析超纯金属，原子吸收光谱分析，荧光分光光度分析，碲锭，质谱分析，碲锭价格，化学光谱分析及气体分析等。在单晶体高纯材料中，晶体缺陷对材料性能起显著影响，称为物理杂质，主要依靠在晶体生长过程中控制单晶平稳均匀的生长来减少晶体缺陷。
方法分析
半导体中的电离杂质浓度可以通过霍尔系数测定，碲锭批发，对于非本征半导体材料，在补偿度不大的情况下，只要知道迁移率的数据，就可通过电阻率的测量，决定杂质的浓度，
高纯金属铝中杂质，已低于化学分析和仪器分析灵敏度的限量，须用物理方法测定，碲锭采购，可用剩余电阻率(ρ4.2K/ρ300K)来测定铝的纯度，因为在4.2K下，点阵中原子振动所引起的电阻率可以忽略，这样测出的电阻率就是杂质引起的电阻率，各种纯度铝中的杂质含量及剩余电阻率
