物理性质：
原子量：127.60
电负性：2.01
密度：6.25g／cm3
熔点：452℃
沸点：1390℃
价态：-2，＋2，＋4，＋6
禁带宽度：0.35eV
电子迁移率：1700cm3／（v.s）
2，规格：
化学纯度：
高纯碲：Te-04纯度99.99％以上，银，铝，镉，铜，铁，镁，镍，铅，硒，锡杂质总含量小于100ppm；
高纯碲：Te-05纯度99.999％以上，银，铝，镉，铜，铁，镁，镍，铅，硒，锡杂质总含量小于10ppm；
超纯碲：Te-06纯度99.9999％以上，银，铝，镉，铜，铁，镁，镍，铅，硒，锌杂质总含量小于1ppm；
超高纯碲：Te-07纯度99.99999％以上，银，铝，镉，铜，铁，镁，镍，铅，锌杂质总含量小于0.1ppm.
3，物理性状：块，锭，粉。
4，用途：主要用于制备II-VI族化合物半导体，太阳能电池，热电转换元件，致冷元件，气敏，热敏，压敏，光敏，压电晶体和核辐射，红外等基础材料。
高纯金属，指的是相对高纯度的金属，一般指金属纯度达到纯度9以上的金属，物理杂质的概念才是有意义的，任何金属都不能达到高纯。“高纯”具有相对的含义，是指技术上达到的标准。由于技术的发展，也常使“高纯”的标准升级。
纯度表示
材料的纯度对其性能超纯金属，特别是微电子学、光电子学性能影响很大，现代高技术产业要求制备出超纯金属以利于制作高性能器件。例如过去高纯金属的杂质为ppm级（即百万分之几）,而超纯半导体 材料的杂质达ppb级（十亿分之几）,并将逐步发展到以ppt级（一万亿分之几）表示。
