物理性质：
原子量：127.60
电负性：2.01
密度：6.25g／cm3
熔点：452℃
沸点：1390℃
价态：-2，＋2，＋4，＋6
禁带宽度：0.35eV
电子迁移率：1700cm3／（v.s）
2，规格：
化学纯度：
高纯碲：Te-04纯度99.99％以上，银，铝，镉，铜，铁，镁，镍，铅，硒，锡杂质总含量小于100ppm；
高纯碲：Te-05纯度99.999％以上，银，铝，镉，铜，铁，镁，镍，铅，硒，锡杂质总含量小于10ppm；
超纯碲：Te-06纯度99.9999％以上，银，铝，镉，铜，铁，镁，镍，铅，硒，锌杂质总含量小于1ppm；
超高纯碲：Te-07纯度99.99999％以上，银，铝，镉，铜，铁，镁，镍，铅，锌杂质总含量小于0.1ppm.
3，物理性状：块，锭，粉。
4，用途：主要用于制备II-VI族化合物半导体，太阳能电池，热电转换元件，致冷元件，气敏，热敏，压敏，光敏，压电晶体和核辐射，红外等基础材料。
高纯”的相对名词是指“杂质”，广义的杂质是指化学杂质（元素）及“物理杂质”（晶体缺陷），后者是指位错及空位等，而化学杂质是指基体以外的原子以代位或填隙等形式掺入。但只当金属纯度达到很高的标准时(如纯度9以上的金属)，物理杂质的概念才是有意义的，因此目前工业生产的金属仍是以化学杂质的含量作为标准，即以金属中杂质总含量为百万分之几表示。
比较明确的办法有两种：一种是以材料的用途来表示，如“光谱纯”、“电子级纯”等；一种是以某种特征来表示，例如半导体材料用载流子浓度，即一立方厘米的基体元素中起导电作用的杂质个数（原子/厘米）来表示。而金属则可用残余电阻率(ρ4.2K/ρ300K)表示。
