局部放电对绝缘材料的破坏作用是与局部放电消耗的能量直接相关的，因此对放电消耗功率的测量很早就引起人们的重视。在大多数绝缘结构中，随着电压的升高，绝缘中气隙（或气泡）的数目将增加。此外局部放电的现象将导致介质的损坏，从而使得tgδ大大增加。因此可以通过测量tgδ的值来测量局部放电能量从而判断绝缘材料和结构的性能情况。 介质损耗分析法特别适用于测量低气压中存在的辉光或者亚辉光放电。由于辉光放电不产生放电脉冲信号，而亚辉光放电的脉冲上升时间太长，局部放电测试仪说明书，普通的脉冲电流法检测装置中难以检测出来。但这种放电消耗的能量很大，使得?tgδ很大，局部放电测试仪原理，故只有采用电桥法检测?tgδ才能判断这种放电的状态和带来的危害。但是，DLA方法只能定性的测量局部放电是否发生，基本不能检测局部放电量的大小，这限制了DLA方法的运用。
当存在电晕放电和表面放电时，超声波传感器比 TEV 传感器更加敏感。 因此，襄阳局部放电测试仪，在局部放电量较小时有可能会出现可以检测到超声局放信号，但检测不到 TEV 信号的情况。一般来说，开关装置上的局放等级必须高于 100 pC，TEV 信号才可可靠地被测量到。但是，超声波探头却可轻易测量到低于 100 pC 的局放等级，最‘’低可达 10 pC。超声波探头的敏感度由两个因素决定，一是声波探测器与局放源之间是否存在连续气隙，二是超声波探头与放电源之间的距离是否低于 1 米
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