CFPDM-02 GIS局部放电检测仪采用特高频（UHF频段0.3～3.0GHZ）检测原理，局放测试仪价格，能 够在GIS运行条件下，或在GIS工频耐压试验条件下，局放测试仪厂家，对其进行局部放电检测和定位，及 时发现绝缘缺陷，避免绝缘故障。
手持式仪器，采用电池供电，便于定期巡视检查。可外接两路传感器测量信号时差，可定位局部放电位置。 GIS局部放电主要由下列缺陷引发： ? 载流导体表面缺陷：如毛刺，尖角，等引起导体表面电场强度不均匀，这种缺陷通常是在制造或安装时造成的，在稳定的工频电压下不易引起击穿，但在操作或冲击电压下很可能引起击穿。 ? 绝缘子表面缺陷： 如制造质量不良，便携式局放测试仪，绝缘子有气泡或裂纹，安装遗留下的污迹，孝感局放测试仪，尘埃等。 ? GIS筒内在制造和安装过程中存在的自由导电微粒。 ? 导体部分接触不良
经过长期监测以及不同测试设备的比对试验，发现电缆B线路的局放信号量有明显上升的趋势，10个月期间局放量已经由21pC上升到1000pC，同时根据局放设备厂家提供的标准：局放量达到100～300pC，要做出更换计划提案。为确保线路安全运行，决定先对电缆B线路进行全线更换，采用原拆原放方式。在高压电缆结构中，半导电缓冲层处于电缆外半导电屏蔽层和铝护套之间，
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