碲化镉 - 存储方法
保持贮藏器密封、储存在阴凉、干燥的地方，确保工作间有良好的通风或排气装置
碲化镉 - 合成方法
1.将碲与镉按化学计量比混合，在高温下直接化合而得。
2.将碲化氢气体通入镉盐溶液中，使其产生沉淀。通过抽滤、洗涤、干燥，4N碲化镉，便可得到CdTe产品。
碲化镉 - 碲化镉的用途
光谱分析。CO2激光器的Q调制。也用于制作太阳能电池，红外调制器，HgxCdl-xTe衬底，红外窗场致发光器件，光电池，碲化镉99.999%，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件等。
碲化镉(cadmium telluride)
由碲和镉构成的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料。其晶体结构为闪锌矿型，碲化镉，具有直接跃迁型能带结构。
碲化镉的物理性质
碲化镉的主要结构缺陷是填隙镉原子，它提供n型电导，而镉空位提供p型电导。
多晶合成用纯度为99.9999％的碲和镉按元素质量比1：1称量，并将料装入涂碳石英管内，在真空度小于4×10-4Pa下进行物料脱氧，再在真空度小于2×10-4Pa下密封石英管。然后将密封好的石英管放入合成炉内进行多晶合成。为防止合成时镉的迅速蒸发引起炸管，升温必须缓慢进行，因为在碲化镉的熔点，镉的蒸气压为1MPa。当温度升至800℃时恒温4h，然后缓慢升温到1100℃，整个合成时间为14h。
单晶生长 合成好的多晶料可用垂直布里支曼法，碲熔剂法、气相升华法、高压融体生长法等生长单晶。生长速度分别为2mm／h、3mm／h、0.2mm／h、5mm／h。垂直布里支曼法是现在常用于生长碲化镉单晶的方法，其生长示意图如图所示。
生长碲化镉单晶较困难，其原因是元素镉和元素碲在碲化镉生长温度都有较高蒸气压，因此晶体易偏离化学配比；另-个原因是镉易沾附石英安瓿。
