锑化铟
中文名称：锑化铟（InSb）
分 子 量：236.578
英文名称: Indium antimonide
产品规格: 6N
制 备：锑和铟的化合物。金属锑和铟在高温熔合而得。具闪锌矿型结构的晶体。
产品用途：重要半导体材料之一。经熔炼提纯的单晶，金属铟粉， 可制成具有特殊性能的红外探测器件等。
锑化铟(InSb)是近年来引起人们极大兴趣并被广泛研究的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料。 InSb和锗(Ge)、硅(Si)相比虽是一发现较晚的半导体材料，但制备高纯度InSb的工艺相对地比较简单，较容易获得其纯度比Ge、Si或其他Ⅲ-Ⅴ族半导性化合物高一、二个数量极的单晶体。
铟丝：
铟作为耐磨轴承、牙科合金、钢铁 和有色金属的防腐装饰件、塑料金属化以及传统首饰纪念物的用途仍在继续增长。大约70%的铟是用于制 备IT()(铟锡氧化物)，它可制成透明电极，金属铟粒，用于计算机和其他显示屏上，尤其是LCD液晶显示器上， 这是ITO的最终端用户。平面显示器是人类与电子世界“交流”的“界面”，它大大促进了可移 动电子装置的发展，例如手机、掌上型电脑等。用于平板显示中的IT()膜对可见光透明、吸收紫外线、反 射红外光具有很好的耐蚀性以及环境和热稳定性。 铟的第二大应用领域是焊料，例如焊膏和低熔点(易熔)合金，金属铟，这些材料又有多方面的应用。铟还用于 制作半导体材料，这种材料所制器件促进了高速数字网络的发展，从而能够处理日益增大的声音、影像和 数字传输容量。
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