高纯铟
高纯铟是纯度达到99.999%的铟元素单质，主要用于制作半导体化合物、高纯合金及半导体材料的掺杂剂等。
中文名：高纯铟
外文名：high purity indium
执行标准：YS／T264－1994
密 度：7.31g/cm3
熔 点：156.2℃
牌 号 In－05(In>99.999%) In－06(In>99.9999%)
主要用途 用于制作半导体化合物、高纯合金及半导体材料的掺杂剂等。
性 状： 银白色金属，金属铟粉，质软，金属铟，可塑性、延展性好。
产品规格： 2000g±100g
锑化铟
中文名称：锑化铟
英文别名：Indiumantimonideblackxtl; Indium antimonide (99.99%-In) PURATREM; antimony; indium(+3) cation; stibanylidyneindium
锑化铟分子式：InSb
分子量：236.578
熔点：535℃
密度：5.76g/cm3
制备：锑和铟的化合物。金属锑和铟在高温熔合而得。具闪锌矿型结构的晶体。
用途：重要半导体材料之一。经熔炼提纯的单晶， 可制成具有特殊性能的红外探测器件等。安全性：S61危险品标志：Xn，N
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