局部放电对绝缘材料的破坏作用是与局部放电消耗的能量直接相关的，因此对放电消耗功率的测量很早就引起人们的重视。在大多数绝缘结构中，随着电压的升高，绝缘中气隙（或气泡）的数目将增加。此外局部放电的现象将导致介质的损坏，从而使得tgδ大大增加。因此可以通过测量tgδ的值来测量局部放电能量从而判断绝缘材料和结构的性能情况。 介质损耗分析法特别适用于测量低气压中存在的辉光或者亚辉光放电。由于辉光放电不产生放电脉冲信号，而亚辉光放电的脉冲上升时间太长，普通的脉冲电流法检测装置中难以检测出来。但这种放电消耗的能量很大，武汉局部放电测试仪，使得?tgδ很大，局部放电测试仪说明书，故只有采用电桥法检测?tgδ才能判断这种放电的状态和带来的危害。但是，DLA方法只能定性的测量局部放电是否发生，基本不能检测局部放电量的大小，局部放电测试仪原理，这限制了DLA方法的运用。
GIS局部放电检测仪采用特高频（UHF频段0.3～3.0GHZ）检测原理，能 够在GIS运行条件下，GIS局部放电测试仪，或在GIS工频耐压试验条件下，对其进行局部放电检测和定位，及 时发现绝缘缺陷，避免绝缘故障。
手持式仪器，采用电池供电，便于定期巡视检查。可外接两路传感器测量信号时差，可定位局部放电位置。 GIS局部放电主要由下列缺陷引发： ? 载流导体表面缺陷：如毛刺，尖角，等引起导体表面电场强度不均匀，这种缺陷通常是在制造或安装时造成的，在稳定的工频电压下不易引起击穿，但在操作或冲击电压下很可能引起击穿。 ? 绝缘子表面缺陷： 如制造质量不良，绝缘子有气泡或裂纹，安装遗留下的污迹，尘埃等。 ? GIS筒内在制造和安装过程中存在的自由导电微粒。 ? 导体部分接触不良
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