局部放电对绝缘材料的破坏作用是与局部放电消耗的能量直接相关的，因此对放电消耗功率的测量很早就引起人们的重视。在大多数绝缘结构中，随着电压的升高，局放测试仪生产厂家，绝缘中气隙（或气泡）的数目将增加。此外局部放电的现象将导致介质的损坏，从而使得tgδ大大增加。因此可以通过测量tgδ的值来测量局部放电能量从而判断绝缘材料和结构的性能情况。 介质损耗分析法特别适用于测量低气压中存在的辉光或者亚辉光放电。由于辉光放电不产生放电脉冲信号，而亚辉光放电的脉冲上升时间太长，普通的脉冲电流法检测装置中难以检测出来。但这种放电消耗的能量很大，使得?tgδ很大，故只有采用电桥法检测?tgδ才能判断这种放电的状态和带来的危害。但是，DLA方法只能定性的测量局部放电是否发生，基本不能检测局部放电量的大小，这限制了DLA方法的运用。
对于非可剥离型半导电层试样：用一种剥切器，武汉局放测试仪，这是一种单柄或双柄的扳手状剥切器，上面有可调深度的倾斜切削刀具，开关柜局放测试仪，随着剥切器沿电缆轴向螺旋形旋转扳动，逐渐将半导电屏蔽层均匀切削掉，留下光滑的绝缘表面，然后用小刀或剥切钳将半导电屏蔽边缘修齐（图20b）这种剥切器适用于非可剥（或交联型）绝缘屏蔽层的剥切。另外还有一种简易的工具，就是用玻璃片作为工具削切半导电层，也是可行的。
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