电沉积纳米晶Ni
电沉积薄膜具有典型的柱状晶结构，但可以用脉冲电流将其破碎。精心地控制温度、pH值和镀池的成份，电沉积的Ni晶粒尺寸可达10nm。但它在350K时就发生反常的晶粒长大，添加溶质并使其偏析在晶界上，以使之产生溶质拖拽和Zener粒子打轧效应，可实现结构的稳定。例如，铋丸报价，添加千分之几的磷、流或金属元素足以使纳米结构稳定至600K。电沉积涂层脉良好的控制晶粒尺寸分布，表现为Hall-Petch强化行为、纯Ni的耐蚀性好。这些性能以及可直接涂履的工艺特点，使管材的内涂覆，铋丸价格，尤其是修复核蒸汽发电机非常方便。这种技术已经作为 EectrosleeveTM工艺商业化。在这项应用中，微合金化的涂层晶粒尺寸约为 100nm，材料的拉伸强度约为锻造Ni的两倍，铋丸，延伸率为15%。晶间开裂抗力大为改善。
方法分析
半导体中的电离杂质浓度可以通过霍尔系数测定，对于非本征半导体材料，铋丸供应商，在补偿度不大的情况下，只要知道迁移率的数据，就可通过电阻率的测量，决定杂质的浓度，
高纯金属铝中杂质，已低于化学分析和仪器分析灵敏度的限量，须用物理方法测定，可用剩余电阻率(ρ4.2K/ρ300K)来测定铝的纯度，因为在4.2K下，点阵中原子振动所引起的电阻率可以忽略，这样测出的电阻率就是杂质引起的电阻率，各种纯度铝中的杂质含量及剩余电阻率
