优质4.5N/ 5N 高纯铟粉
1.元素描述
Cas No:10025-82-8
原子量:114.818
密度:7.31 g/cm3(20℃)(0-100℃)
熔点:156.5985℃
沸点:2072℃
2.纯度
4.5N In,纯度99.995%以上,杂质总含量小于50ppm。
5N In,高纯铟,纯度 99.999%以上,高纯铟珠,杂质总含量小于1ppm
3.规格
生产各种规格铟粉,常规铟粉为100目,高纯铟丝,200目。
4.包装
透明塑料袋真空封装后铝箔袋真空封装,或聚乙烯瓶封装后铝箔袋真空封装;客户可指定包装方式。
锑化铟单晶(indium antimoningle crystal InSb)共价键结合,有一定离子键成分。立方晶系闪锌矿型结构,晶格常数0.6478nm。密度5.775g/cm3。熔点525℃。为直接带隙半导体,室温禁带宽度0.18eV,本征载流子浓度1.1×1022/m3,本征电阻率6×10-4Ω·m,较纯晶体的电子和空穴迁移率为10和0.17m2/(V·s)。采用区域熔炼、直拉法制备。用于制作远红外光电探测器、霍耳器件和磁阻器件。
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