锑化铟单晶(indium antimoningle crystal InSb)共价键结合，高纯铟，有一定离子键成分。立方晶系闪锌矿型结构，高纯铟丝，晶格常数0.6478nm。密度5.775g/cm3。熔点525℃。为直接带隙半导体，高纯铟粉，室温禁带宽度0.18eV，本征载流子浓度1.1×1022/m3，本征电阻率6×10-4Ω·m，较纯晶体的电子和空穴迁移率为10和0.17m2/(V·s)。采用区域熔炼、直拉法制备。用于制作远红外光电探测器、霍耳器件和磁阻器件。
产品名称: 铟粒/铟丸/铟珠 In 5N
原子量:114.818
元素类型: 金属单质
供应规格: 5N，1-5mm
物理形状: 银色圆形颗粒分子量114.82
熔点156.61°C
沸点2060°C
电阻率8.37 mΩ cm
相对密度d7.30
主要用途：主要用于制备Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体、高纯合金、超低温冷却、晶体管基极以及锗、硅单晶的掺杂剂、铟封、ITO、核辐射安全监控、电接触元件、焊料等。鑫融新材料(图),高纯铟粉,高纯铟由武汉鑫融新材料有限公司提供。武汉鑫融新材料有限公司（www.91material.com）实力雄厚，信誉可靠，在湖北 武汉 的化工产品等行业积累了大批忠诚的客户。公司精益求精的工作态度和不断的完善创新理念将引领鑫融新材料和您携手步入辉煌，共创美好未来！
