研究纳米晶金属间化合物的主要动机是探索改进金属间化合物的室温韧性的可能性。Bohn等首先提出纳米晶金属化合物几种潜在的优越性。其中包括提高强度和韧性。Haubold及合作者研究了IGC法制备的NiAl的力学性能，但仅限于单一样品在不同温度退火后的硬度测量。Smith通过球磨NiAl得到晶粒尺寸从微米级至纳米级的样品，进行了'微型盘弯曲试验'，观察到含碳量低的材料略表现出韧性，而含碳多的材料没有韧性。最近Choudry等用'双向盘弯曲试验'研究了纳米晶NiAl，发现晶粒小于10nm时，屈服强度高干粗晶NiAl，且在室温下有韧性，对形变的贡献主要源于由扩散控制的晶界滑移。室温压缩实验显示由球磨粉末固结成的纳米晶Fe-28Al-2Cr具有良好的塑性(真应变大于1.4)，且屈服强度高(是粗晶的1O倍)。测量TiAl(平均晶粒尺寸约10nm)的压缩蠕变(高温下测量硬度随着恒载荷加载时间的变化)表明，在起始的快速蠕变之后，第二阶段蠕变非常缓慢，这意味着发生了扩散控制的形变过程。低温时(低于扩散蠕变开始温度)，稀有金属锡，纳米晶的硬度变化很小。观察到的硬度随着温度升高而下降，原因之一是压头载荷使样品进一步致密化，而主要是因为材料流变加快。Mishra等报道，在750～950°C，10-5～10-3s-1的应? 渌俾史段В擅拙i-47.5Al-3Cr(g-TiAl)合金的形变应力指数约为6，说明其形变机制为攀移位错控制。
方法分析
半导体中的电离杂质浓度可以通过霍尔系数测定，对于非本征半导体材料，稀有金属，在补偿度不大的情况下，只要知道迁移率的数据，稀有金属铟，就可通过电阻率的测量，决定杂质的浓度，
高纯金属铝中杂质，已低于化学分析和仪器分析灵敏度的限量，须用物理方法测定，可用剩余电阻率(ρ4.2K/ρ300K)来测定铝的纯度，稀有金属，因为在4.2K下，点阵中原子振动所引起的电阻率可以忽略，这样测出的电阻率就是杂质引起的电阻率，各种纯度铝中的杂质含量及剩余电阻率
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