纳米Ga2O3结构，如纳米线、纳米棒、纳米带等，已被多种方法合成出来，其在光电子器件、气敏传感器和催化等方面的应用价值也渐渐被发掘出来。虽然对一维Ga2O3纳米材料的研究已经有很多，厂家销售氧化镓，但仍存在不少问题，如其形成机理、性能方面的详细研究，氧化镓，以及在器件方面的用等。 本文主要介绍了用溶胶-凝胶法和水热法合成前躯体，并用高温固相法烧结后合成了单斜相β-Ga2O3纳米半导体材料。并通过XRD等材料表征手段对两种方法合成出的物相分析、形貌和结构的测试，研究用不同形貌Ga2O3的光致发光性质。
发现历史
镓在巴黎由布瓦博得朗于1875年发现。他在闪锌矿矿石（ZnS）中提取的锌的原子光谱上观察到了一个新的紫色线。他知道这意味着一种未知的元素出现了。
布瓦博得朗没有意识到的是它的存在和属性，都已经被门捷列夫成功预言了，氧化镓直销，他的元素周期表显示出在铝下面有个间隙尚未被占据。他预测这种未知的元素原子量大约是68，它的密度是5.9g/cm3。
在1875年11月，布瓦博得朗提取并提纯了这种新的金属，并证明了它像铝。在1875年12月，他向法国科学院宣布了它。
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