产品规格:铟.锡氧化物（ITO）低密度小圆靶
1.产品主要用途
蒸镀制备ITO导电膜
2.产品的物理及化学特性
2.1 化学式：In2O3/SnO2
2.2 外 观：绿色
2.3 晶粒度：5~15μm
2.4相对密度：60%±2％
2.5杂质含量：≤500ppm
3.产品检测方法
3.1晶粒度：扫描电镜（SEM）观察；
3.2纯度：ICP—AES分析测试杂质含量；
3.3 密度：手测法（千分尺、分析天平）；
发展
各种类型的溅射薄膜材料在半导体集成 电路 (VLSI) 、光碟、平面显示器以及工件的表面涂层等 方面都得到了广泛的应用。20世纪90年代 以来，靶材厂家ITO，溅射靶材及溅射技术的同步发展，厂家靶材ITO，极大地满足了各种新 型电子元器件发展的需求。例如，在半导体集成电路制造过程中，以电阻率较低的铜导体薄膜代替铝 膜布线：在平面显示器产业中，各种显示技术 (如LCD、PDP 、OLED及FED等)的同步发展，ITO，有的已 经用于电脑及计算机的显示器制造；在信息存储产业中，ITO靶材，磁性存储器的存储容量不断增加，新的磁光记录材料不断推陈出新 这些都对所需溅射靶材的质量提 出了越来越高的要求，需求数量也逐年增加。
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