发展
各种类型的溅射薄膜材料在半导体集成 电路 (VLSI) 、光碟、平面显示器以及工件的表面涂层等 方面都得到了广泛的应用。20世纪90年代 以来，ATO纳米颗粒，溅射靶材及溅射技术的同步发展，极大地满足了各种新 型电子元器件发展的需求。例如，在半导体集成电路制造过程中，颗粒ATO，以电阻率较低的铜导体薄膜代替铝 膜布线：在平面显示器产业中，ATO，各种显示技术 (如LCD、PDP 、OLED及FED等)的同步发展，有的已 经用于电脑及计算机的显示器制造；在信息存储产业中，磁性存储器的存储容量不断增加，粉体ATO，新的磁光记录材料不断推陈出新 这些都对所需溅射靶材的质量提 出了越来越高的要求，需求数量也逐年增加。
而且所需要的氧化物原料也 不一定是纳米颗粒，这样可以简化前期的工序。采川 这样的靶材得到的 I T O 薄膜的屯阻率达到 8 ． 1 ×1 0 n- c m，接近纯的 I T O薄膜 的电阻率。F P D和导电玻璃的尺寸都相当火，导电玻璃的宽 度甚至可以达到 3 1 3 3 _ ，为了提高靶材的利用率，开发 了不同形状的I T O靶材，如圆柱形等。2 0 0 0年，国家 发展计划委员会、科学技术部在 《 当前优先发展的信 息产业重点领域指南》中， I T O大型靶材也列入其中。
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