GIS局部放电检测仪采用特高频(UHF频段0.3~3.0GHZ)检测原理,能 够在GIS运行条件下,或在GIS工频耐压试验条件下,对其进行局部放电检测和定位,及 时发现绝缘缺陷,避免绝缘故障。
手持式仪器,采用电池供电,gis局部放电测试仪,便于定期巡视检查。可外接两路传感器测量信号时差,可定位局部放电位置。 GIS局部放电主要由下列缺陷引发: ? 载流导体表面缺陷:如毛刺,尖角,等引起导体表面电场强度不均匀,这种缺陷通常是在制造或安装时造成的,在稳定的工频电压下不易引起击穿,但在操作或冲击电压下很可能引起击穿。 ? 绝缘子表面缺陷: 如制造质量不良,湖北局部放电测试仪,绝缘子有气泡或裂纹,变频局部放电测试仪,安装遗留下的污迹,SWJF系列局部放电测试仪,尘埃等。 ? GIS筒内在制造和安装过程中存在的自由导电微粒。 ? 导体部分接触不良
通常视在放电量(视在电荷)与试品实际点的放电量并不相等,实际局部放电量是无法直接测得,而视在电荷是可以测量的。试品放电引起的电流脉冲在测量阻抗端子上所产生的电压波形可能不同于注入脉冲引起的波形,但通常可以认为这二个量在测量仪器上读到的响应值相等。两者之间的关系可以通过用图1气隙放电的等效回路来导出,欢迎来电
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