锑化铟单晶(indium antimoningle crystal InSb)共价键结合，有一定离子键成分。立方晶系闪锌矿型结构，晶格常数0.6478nm。密度5.775g/cm3。熔点525℃。为直接带隙半导体，金属铟报价，室温禁带宽度0.18eV，本征载流子浓度1.1×1022/m3，本征电阻率6×10-4Ω·m，较纯晶体的电子和空穴迁移率为10和0.17m2/(V·s)。采用区域熔炼、直拉法制备。用于制作远红外光电探测器、霍耳器件和磁阻器件。
优质4.5N/ 5N 高纯铟粉
1．元素描述
Cas No：10025-82-8
原子量：114.818
密度：7.31 g/cm3（20℃）（0-100℃）
熔点：156.5985℃
沸点：2072℃
2．纯度
4.5N In，纯度99.995%以上，杂质总含量小于50ppm。
5N In，金属铟锭，纯度 99.999%以上，金属铟粒，杂质总含量小于1ppm
3.规格
生产各种规格铟粉，金属铟，常规铟粉为100目，200目。
4.包装
透明塑料袋真空封装后铝箔袋真空封装，或聚乙烯瓶封装后铝箔袋真空封装；客户可指定包装方式。
金属铟锭,金属铟,鑫融新材料(查看)由武汉鑫融新材料有限公司提供。“金属材料纳米新材料生产销售化工产品”就选武汉鑫融新材料有限公司（www.91material.com），公司位于：武汉市洪山区珞狮路147号，多年来，鑫融新材料坚持为客户提供优质的服务，联系人：姜女士。欢迎广大新老客户来电，来函，亲临指导，洽谈业务。鑫融新材料期待成为您的长期合作伙伴！
