中文名称：氧化铟
英文名称：Indium(III) oxide
别名名称：三氧化二铟
更多别名：Indium trioxide
分 子 式：ln2O3
分 子 量：277.64
CAS号：1312-43-2
MDL号：MFCD00011060
EINECS号：215-193-9
RTECS号：NL1770000
PubChem号：24852170
性状：白色或淡黄色无定型粉末，金属铟粉，加热转变为红褐色。密度（g/mL，金属铟报价，25℃）：7.179
熔点（oC）：2000
蒸气压（mmHg，金属铟，25oC）：<0.01
锑化铟
中文名称：锑化铟（InSb）
分 子 量：236.578
英文名称: Indium antimonide
产品规格: 6N
制 备：锑和铟的化合物。金属锑和铟在高温熔合而得。具闪锌矿型结构的晶体。
产品用途：重要半导体材料之一。经熔炼提纯的单晶， 可制成具有特殊性能的红外探测器件等。
锑化铟(InSb)是近年来引起人们极大兴趣并被广泛研究的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料。 InSb和锗(Ge)、硅(Si)相比虽是一发现较晚的半导体材料，但制备高纯度InSb的工艺相对地比较简单，较容易获得其纯度比Ge、Si或其他Ⅲ-Ⅴ族半导性化合物高一、二个数量极的单晶体。
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